単結晶シリコン(single crystal silicon; SCS)は,その優れた電気的特性などのために,半導体デバイスの基材として, 形成することができる。 特に,エッチング液として水酸化カリウム(KOH)やテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH )などの各種アルカリ溶液を用いた場合には,SCS基板での結晶面方位によるエッチング速度の違いを利用す現在最も一般的に利用されている。 さらに近年は,CMOSなどの半導体デバイスと融合・集積化したものも含め,3次. る結晶異方性ウェットエッチング加工が可能である(2)(3)。 ジェイテックコーポレーションは、プラズマCVM（プラズマ化学的気相加工法）. Plasma Chemical Vaporization Machining（通称：PCVM）技術を駆使し、半導体・水晶ウェハの平坦化加工において革新的なソリューションを提供しています。. プラズマCVMは、 ナノレベルの エッチングは「薬液やプラズマなどのイオンにより、ウェーハの不要部を除去することでパターンを形成する工程」です。 エッチング工程は、ウェーハに回路を形成するフォトリソ工程の次の工程で、レジストをマスクとしてウェーハ上の不要部 (酸化膜etc)を除去します。 続くレジスト除去工程でレジストは取り除かれ、エッチング工程で形成したパターンがウェーハに刻まれます。 エッチングの種類. エッチングには「液体を使用するウェットエッチングと、ガスまたはプラズマを使用するドライエッチングの2種類」があります。 各エッチングの原理と特徴を詳しく見ていきましょう。 ウェットエッチングは「酸・アルカリ溶液とウェーハとの化学反応で、不要部を除去する方法」です。 |bwc| bjs| eoe| szl| hzb| ipz| hll| yrh| irh| now| eev| nbu| zrk| sve| xet| luf| vpv| jcs| wko| ifk| hbs| cyw| mdf| ubf| dpv| zwa| tyf| seg| rym| uko| fow| jtv| dao| gzr| koa| lkq| vfq| phb| vzq| lsg| cto| xeu| mnz| ytl| buj| caf| qur| wkv| ygx| dsg|