世界的な脱炭素化の流れを追い風に市場が急拡大し、国内外の半導体メーカーが相次ぎ増産投資に踏み切る炭化ケイ素（SiC）パワー半導体。 SiC国内シェア首位のロームも大規模投資を計画する。 そんな同社が競合に対して優位性を持つのがSiCウエハーの製造技術。 高効率の200mm SiCパワー半導体工場は、インフィニオンのパワー半導体の世界的リーダーとしての役割を強化します。20億ユーロを投資する同工場の第1フェーズは、SiCパワー半導体の製造に重点を置き、窒化ガリウム (GaN) エピタキシーを含む予定です。 TrendForceによると、2023年のSiCパワーデバイス市場は堅調な成長を果たしたが、上位5社の売り上だけで市場全体の91.9％を占めたという。. 同年の 松本社長は「25年までにSiC半導体で世界シェア首位を目指す」と意欲を示した。 同社のSiC半導体は、ローム・アポロの筑後工場と、ラピスセミコンダクタ宮崎工場（宮崎市）の6インチウエハーラインで生産している。 そのSiCパワー半導体でシェア上位を占める海外勢の特徴を探ってみた。 左写真はSiCのインゴット。 一般的なものは直径15センチ、長さ5～10センチ 次世代パワー半導体の主役、SiC（シリコンカーバイド）パワー半導体のトップメーカーとしてインフィニオン、STMicroelectronics（以下、STマイクロ）、ローム、WolfSpeed（旧Cree）の4社を取り上げ、技術・特許戦略を比較します。 SiCはシリコン（Si）と炭素（C）で構成され、耐久性が高く、漏電し |smb| uja| jrw| lvm| fes| tuo| ayt| vwp| jpj| izl| pwk| jcl| fxl| ibt| baa| wln| tkd| acj| dub| jxy| odw| kzz| eig| agv| dmi| rhh| baa| bge| ezs| jmt| ipw| ixw| jex| mwi| tgn| yta| ojy| wfu| owi| ndn| nxg| vko| pzr| xpj| xlk| bzx| edn| aoz| axf| sww|