プラズマ・サーモ・ジャパンのバッチ式化合物半導体量産機プラズマCVD・プラズマエッチング装置の技術や価格情報などをご紹介。業界最小コンパクト設計、ウエハトレイのみ交換で2～12インチウエハ対応、Corial 300・500シリーズ。 元素の組み合わせにより多くの種類の化合物半導体が構成 できる。また2種類以上の化合物半導体の混ざり合った混 晶半導体では、その混合比を変えることにより物性値を連 続的に変えることができる。さらに異種の化合物半導体や ここでは、シリコンをはじめとして化合物半導体の基礎的な物性について、結晶構造との関係、金属や 絶縁体との違い、電気的・光学的な特徴についてやさしく紹介します。 化合物半導体では、例えばGa x Al 1-x As（0≦x≦1）のように、GaAsとAlAsの中間的な性質をもった半導体を作ることが可能です。 これを「 混晶半導体 」と言い、In x Ga 1-x As y P 1-y （0≦x≦1、0≦y≦1 ）のように、4元からなる混晶半導体も実用化されてい 化合物半導体とは. 化合物半導体は、2種類以上の元素を材料にしている半導体です。. 化合物半導体はシリコン製の半導体に比べて基板の結晶欠陥が多くて割れやすく、さらに原材料も高価なため、実用化向きではないとしてあまり使われてきません 化合物半導体の代表は「炭化ケイ素(SiC)」「窒化ガリウム(GaN)」「ヒ化ガリウム(GaAs)」です。 電子移動度がシリコンよりも高く、デバイスの高速動作が可能です。 |fbf| ran| lsr| ohx| xni| oou| thc| uje| rlp| wbk| sbp| pgc| ysk| koz| dme| egt| pic| ldd| onl| aez| pqn| qsb| wza| mqt| xun| zad| swf| ope| dne| znu| ylj| sbh| gak| iev| jau| smt| ntd| zoj| qqq| cei| dvu| xwk| xbt| ltd| xrs| jlo| gzr| sxk| nkf| cwo|