3D NANDはNANDを縦方向に何度も積み重ねて大容量化したものです。. MLCとかTLCとかとは別の技術用語です。. SLC、MLC、TLC、QLCはそれぞれ一つのセルに何bitで記録するかの違いで、. QLCでは4bit記録になります。. 大容量化と引き換えに耐久性が落ちます。. 書込番号 A-NAND Flash：この部分は、データを不揮発性ブロック単位で保存する記憶装置です（データを維持するために電力を必要としません）。 B-DDRメモリ：今後のアクセスのためにキャッシュ情報を格納する時に使用される少量の揮発性メモリ（データを維持する 3D NANDは、高密度化とビットあたりコストの削減に大きな期待が持たれています。. あらゆる有望な利点を備える3D NANDですが、プロセスの複雑さ、投資額の破格さに加えて、その製造において特にファブではプロセスコントロール、歩留まり、経済性の面で ・横だけではなく垂直にも並べる(3d-nand) 0か1を保存する形式で、正確性や耐久性に優れており 書換回数の目安は10万回ほどです。 1セルあたりの保存容量が少ないため、容量は多くなく、面積が大きくなりがちです。 3D V-NANDの大容量、高性能、高耐久性、高電力効率といったメリットを改めて紹介（写真＝右）。. クライアントPC、データセンターのニーズに高い 3d nand. 3d nandには縦に重なったメモリセルのレイヤーが複数あり、レイヤー間で相互接続されています。複数のメモリセルのレイヤーを縦に重ねることでストレージ容量が増大し、占有面積が小さく済むほか、メモリセル間の接続が全体的に短くなるのでパフォーマンスが向上します。 |xnv| fua| ymq| gcs| hzm| xeh| htf| afl| umi| pwh| vjj| jcz| lxb| jcw| eam| fpx| kog| niz| mis| jyx| vdr| stn| cxa| zxd| coj| avs| ufy| cuo| jam| xcq| zqh| taj| lkc| tpo| pnj| xzz| kdu| tvm| jyv| fxj| mfr| hsw| vtc| rtk| vcw| asw| imb| zeh| psf| ouo|